芯片目前是各国大力发展的目标之一，而想要造出好芯片，就得需要先进的光刻机了。之前我国公布北斗三号芯片的精度达到了22纳米，这也说明了在光刻机领域我国也突破了22纳米。而就在我国芯片这边取得好消息不久，华为也宣布将成立半导体投资基建，这个项目也获得了国家的支持，在各方面都传来好消息的同时，这也意味着“中国芯”正加速崛起。

我国近些年在芯片领域取得了不小的进展，像“申威，龙芯，飞腾，海光等”，还有北斗系统上使用的28纳米制程工艺节点的芯片，都是国产的。早在2018年我国科研人员就制造出了最小工艺节点为22纳米的超分辨率光刻机，只要是非商业化的28纳米制程工艺节点的芯片都可以用该超分辨率光刻机制造，要知道北斗三号卫星的28纳米制程工艺节点的芯片就是国产化的。而美国只能制裁我国商用的28纳米制程工艺节点以下的芯片，也就是我们常用的手机，电脑中的高端芯片。而武器装备，卫星，超级计算机，科研仪器等用到的芯片制程并没有那么小，28纳米制程工艺节点的芯片就可以满足需求了。

在美国禁止晶圆代工厂代工麒麟芯片的这段时间内，国内手机行业受影响的也只是华为。其他品牌基本上不会受到影响，至于桌面级CPU那就更不用心了，可以看到的是，在短期内因特尔，AMD是不会停止出口CPU的，毕竟国内市场这么大，这两家公司也不傻，同时特朗普也不敢做的太过了。毕竟他是商人，还是要赚钱的，也要考虑国内科技企业的状态。由此可知，在各晶圆代工厂无法为华为代工芯片的这段时间内，国内也并不会出现所谓的真空期。为了尽快赶上国际水平，估计在五年内与半导体相关的软硬件都将被列为优先研发。

只要是被我国所重视的科技，要取得突破还是很快的。而国内也一直在为自产EUV光刻机做着努力，例如:研制光源的企业有科益虹源，镜头组的有国望光学，双工件台的有华卓精科，光刻胶的有南大光电等等。可以说，在未来我国的相关企业会在光刻机部件的研发上取得较大的成就。至于这个时间是多少，国内何时可以有自己的EUV光刻机，在五年内应该会有较大的突破。当然了，除了传统的硅基芯片之外，像碳基芯片，量子芯片，也是国际上下一个高新技术的迸发点，毕竟受制于摩尔定律传统硅基芯片的最小制程节点快到头了。

在量子芯片，碳基芯片的发展上我国与国际的差距也不大，甚至在某些方面还有超越，由此可知，在新兴芯片的发展上，我国绝对可以占据一席之地的。可以看出，我国在芯片领域正在处于一个高速发展的阶段，相信在未来，“中国芯”将会跻身世界前列，让各国都刮目相看。

关键词： 光刻机 纳米 华为